双方撕逼这不是该报第一次在奥运会运用这项技术。
块体2D材料表面没有悬空键，都大靠非常弱的vdW力将其结合在一起。随着外延技术的进一步发展，坦诚它可以生产出薄的单晶独立式柔性薄膜，坦诚满足柔性、共形和多功能电子器件在工业上的应用要求，比如物联网、智慧城市、智能汽车和可穿戴电子产品。
随着异质材料异质集成需求的不断增长，原也各种不同的liftoff技术得到了发展，原也包括epitaxiallift-off (ELO)、机械剥离、laserlift-off和二维(2D)材料辅助层转移(2DLT)等。[3] 这种模式已经被用在TiN，直接AlN在Si(100)上生长，直接ZnO在αAl2O3 (0001)上生长，它们之间都有15%到25%的晶格失配，证明了III-V和III-N材料、氧化物和硅通过外延生长在单个晶圆片上的集成的可能性。图7（左）显示了无机InAlGaP红光LED的示例，双方撕逼在聚二甲基硅氧烷衬底上具有非共面蛇形桥结构，展示了它在机器人和临床医学应用方面的能力。
一个温和的解决方案是将生长的外延层从基板上剥离和转移，都大这允许高度不匹配的材料系统的异质集成。因此，坦诚通过异质外延实现高效率器件的单片集成变得复杂、昂贵、耗时。
此外，原也剥离的面积产量取决于转移的石墨烯层的质量。
然而，直接随着Si上不同材料的异质集成变得越来越重要，我们相信这些方法将被重新审视和改进，以更快的产量和更低的成本。我们探索未来的集成计算系统，双方撕逼可以利用先进的外延生长和liftoff方法。
领域匹配外延(domainmatchingepitaxy,DME)是一种典型的生长方式，都大它通过匹配界面上主要晶格平面区域来实现高质量的材料外延生长。这个过程类似于机械剥落，坦诚但有几个优点：首先，剥落深度是由二维材料的位置决定的，而不是由金属应力源膜的应力决定的，因此更容易控制。
因此，原也需要创新的方法来克服这些严格的外延晶格匹配规则，提高可制造性和可采用率。这种技术对于生长在高能带隙衬底上的外延薄膜来说是快速和稳定的，直接但因此在材料的可能范围方面受到限制
